II-VI族半導體納米結構中摻雜效應與光學性質的調控
尊敬的用戶:您還沒有登錄,請 登 錄!
第八屆中國功能材料及其應用學術會議——本報告由北京理工大學教授鄒炳鎖所作,報告中總結了以下三點內容:1、摻雜經常不是均勻的行爲,高密度摻雜尤其不是;2、納米線摻雜可以產生很多新結構和新物理效應;3、稀磁半導體的發光和鐵磁性共存和調控,可能爲下一代信息器件開闢道路。
嘉 賓 :
鄒炳鎖教授
關鍵字 :
視頻年代:2013
相關視頻
II-VI族寬帶隙半導體量子阱中子帶躍遷特性及其在紅外波段光電子器件的應用
熱電材料中的納米效應與納米熱電材料製備技術(2)
熱電材料中的納米效應與納米熱電材料製備技術(1)
功能納米材料的微結構調控和定量電子顯微學研究
半導體氧化物納米結構的設計、 製備和化學傳感特性
氮化物半導體材料發展現狀與展望(2)
氮化物半導體材料發展現狀與展望(1)
薄膜光電材料及器件的界面研究
主講人:魯麟
金屬氧化物對燃料電池的助催化性能
窄禁帶半導體低維結構的自旋調控(3)