II-VI族寬帶隙半導體量子阱中子帶躍遷特性及其在紅外波段光電子器件的應用

       第八屆中國功能材料及其應用學術會議——本報告由哈爾濱工業大學教授李炳生所作，報告中介紹了研究的背景，包括量子阱中子帶躍遷與器件應用，II-VI族材料的特點及其在子帶器件中的應用，以及CdS/ZnSe/BeMgTe MQWs的生長存在問題及其價格匹配的生長等內容。