氮化物半導體材料發展現狀與展望(1)

       2013海峽兩岸功能材料科技與產業峯會——1993年第一隻高亮GaN基藍光LED誕生，隨即在全球掀起Ⅲ族氮化物半導體研發熱潮。III族氮化物半導體是繼第一代半導體材料Ge、Si，第二代半導體材料GaAs、InP之後發展起來的第三代半導體材料，它是由GaN、AlN和InN三種基質半導體組成的材料體系，它不同於傳統的半導體材料，是一種具有很強壓電、鐵電性的寬廣帶隙、直接能隙半導體材料，覆蓋了從0.7eV到6.2eV的寬廣能隙和從1.77m到0.20m寬廣光學窗口，具有極其獨特的光、電性質，作爲新一代功能半導體材料，突破傳統半導體技術的侷限，發展成爲半導體的新一代技術-III族氮化物半導體技術，在光電子和微電子領域中開拓了新應用，不僅推動了當代信息技術的新發展，而且深入到現代能源領域，作爲高能效的電/光、光/電的能量轉換技術，在現代能源技術領域的“節能減排”中發揮了重要作用。本片介紹III族氮化物半導體材料目前的發展現狀與今後發展趨勢，幷討論分析III族氮化物半導體材料發展面臨的若干基礎科學問題。