II-VI族半导体纳米结构中掺杂效应与光学性质的调控
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II-VI族半导体纳米结构中掺杂效应与光学性质的调控
第八届中国功能材料及其应用学术会议——本报告由北京理工大学教授邹炳锁所作，报告中总结了以下三点内容：1、掺杂经常不是均匀的行为，高密度掺杂尤其不是；2、纳米线掺杂可以产生很多新结构和新物理效应；3、稀磁半导体的发光和铁磁性共存和调控，可能为下一代信息器件开辟道路。
ゲスト ：
邹炳锁教授
キーワード ：
II-VI族 半导体 纳米结构 掺杂效应 光学性质視頻年代：2013
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