氮化物半导体材料发展现状与展望(2)

       2013海峡两岸功能材料科技与产业峰会——1993年第一只高亮GaN基蓝光LED诞生，随即在全球掀起Ⅲ族氮化物半导体研发热潮。III族氮化物半导体是继第一代半导体材料Ge、Si，第二代半导体材料GaAs、InP之后发展起来的第三代半导体材料，它是由GaN、AlN和InN三种基质半导体组成的材料体系，它不同于传统的半导体材料，是一种具有很强压电、铁电性的宽广带隙、直接能隙半导体材料，覆盖了从0.7eV到6.2eV的宽广能隙和从1.77m到0.20m宽广光学窗口，具有极其独特的光、电性质，作为新一代功能半导体材料，突破传统半导体技术的局限，发展成为半导体的新一代技术-III族氮化物半导体技术，在光电子和微电子领域中开拓了新应用，不仅推动了当代信息技术的新发展，而且深入到现代能源领域，作为高能效的电/光、光/电的能量转换技术，在现代能源技术领域的“节能减排”中发挥了重要作用。本片介绍III族氮化物半导体材料目前的发展现状与今后发展趋势，幷讨论分析III族氮化物半导体材料发展面临的若干基础科学问题。