半导体相变存储器

       第八届中国功能材料及其应用学术会议——本报告由中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员宋志棠所作，该报告中总结了半导体相变存储器的工作动态：1、发现了TiSbTe、WSbTe新型相变材料，在PCRAM芯片巨大的应用前景；2、自主限定性的存储结构，低功耗高速特性；3、自主双沟道二极管工艺与理论统一，巨大的商业化前景；4、我国自主的相变存储芯片与应用推广。