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用于纳米CM0S集成电路的新沟道材料研究动向

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用于纳米CM0S集成电路的新沟道材料研究动向

       第八届中国功能材料及其应用学术会议——本报告由南京大学教授赵毅所作，报告中介绍了现代CMOS集成电路发展趋势，提高CMOS器件中载流子迁移率的重要性以及高迁移率新沟道材料CMOS器件研究动向等内容。

嘉 宾 ：

赵毅教授

关键字 ：

功能材料 CMOS 集成电路 载流子 迁移率 新沟道材料

视频年代：2013


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