II-VI族宽带隙半导体量子阱中子带跃迁特性及其在红外波段光电子器件的应用
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II-VI族宽带隙半导体量子阱中子带跃迁特性及其在红外波段光电子器件的应用
第八届中国功能材料及其应用学术会议——本报告由哈尔滨工业大学教授李炳生所作，报告中介绍了研究的背景，包括量子阱中子带跃迁与器件应用，II-VI族材料的特点及其在子带器件中的应用，以及CdS/ZnSe/BeMgTe MQWs的生长存在问题及其价格匹配的生长等内容。
Guests ：
李炳生教授
Keyword ：
量子阱 中子带 跃迁 II-VI族Year：2013
