硫系化合物：从相变存储器到忆阻器

       第八届中国功能材料及其应用学术会议——本报告由华中科技大学教授缪向水所作，报告中得出了超晶格和BiTe基硫系化合物相变材料为超高速低功率相变储存器奠定了材料基础，基于硫系化合物的相变磁性材料为自旋电子器件提供了一种新的选择，硫系化合物忆阻器的本征忆阻特性来自电荷陷阱，硫系化合物忆阻器表现出优异的渐变特性，以及硫系化合物忆阻器演示了电子突触的学习记忆机制，包括STDP和SRDP等结论。